ES3000 V3 NVMe SSD

所屬分類：

產品中心

HUAWEI

服務器

產品概述

ES3000 V3 NVMe SSD

立即聯系

產品詳細介紹

ES3000 V3是華為第六代企業級高性能SSD，具有性能高、響應快、可靠性高等特點，解決硬盤IO性能瓶頸，大幅提升數據庫、云服務、虛擬化、分布式存儲、大數據等業務應用性能，幫助客戶降低系統TCO。

關鍵特性

高性能、高可靠、易維護

采用華為自研SSD控制器芯片、六代產品演進SSD算法技術
PCIe 3.0 x4總線接口，NVMe 1.2標準，提供U.2盤(2.5寸)和半高半長卡產品形態
800GB~3.2TB容量，高達3.2GB/s帶寬和80萬IOPS性能，滿足多種業務需求
操作系統免驅，可做啟動盤，支持熱插拔，即插即用
提供原子寫(Atomic Write)、SR-IOV、多Name-Space等特性，優化數據庫、虛擬化等應用
與服務器BMC管理無縫結合，實時監測SSD的壽命、溫度、功耗、SMART等關鍵信息

技術規格

型號	ES3500P V3				ES3600P V3
產品形態	U.2盤(2.5寸)				U.2盤(2.5寸)
總線接口	PCIe 3.0 x4				PCIe 3.0 x4
NVMe標準	NVMe 1.2				NVMe 1.2
Flash顆粒	MLC				MLC
可用容量	800 GB	1.2 TB	3.2 TB	800 GB	1.2 TB	1.6 TB	2.0 TB	3.2 TB	800 GB
順序讀帶寬(MB/s)	2,400	2,900	2,900	2,700	3,100	3,200	2,750	3,100	2,700
穩定隨機讀IOPS @4KB	600K	710K	715K	680K	800K	800K	650K	800K	680K
平均讀時延@4KB	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs	88 µs
順序寫帶寬(MB/s)	1,000	1,700	1,800	1,100	1,800	1,950	1,550	1,950	1,100
最大隨機寫IOPS @4KB	250K	405K	428K	275K	428K	464K	380K	464K	275K
穩定隨機寫IOPS @4KB	55K	85K	78K	100K	160K	175K	110K	170K	100K
平均寫時延@4KB	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs	18 µs
穩定隨機7:3讀/寫混合IOPS @4KB	150K	220K	225K	230K	387K	390K	285K	390K	230K
平均功耗(Idle/ Active)	7/ 13.5 W	7/ 17 W	7/ 21 W	7/ 14 W	7/ 17.5 W	7/ 18.5 W	7/ 18 W	7/ 22 W	7/ 14 W
數據寫入總量(PBW)*	1.46	2.19	5.84	4.38	6.57	8.76	10.95	17.52	4.38
5年DWPD壽命**	1	1	1	3					3

備注：規格如有更改，恕不另行通知。性能結果基于內部測試，可能因配置和系統差異而不同，包括產品容量、操作系統版本、測試工具等。
1、數據寫入總量(PBW，PetaByte Writes)*：在4KB IO size和4KB對齊條件下、100%隨機寫的測試結果，計算公式：數據寫入總量PBW=SSD容量 * DWPD * 365天 * 5年。
2、5年DWPD壽命**：驅動器每天全盤寫入次數(DWPD，Disk Writes per Day)，此壓力下持續工作5年。
3、帶寬性能測試標準：使用FIO工具在RHEL 7.0系統上用1線程512QD 1MB順序讀寫的帶寬。
4、IOPS性能測試標準：使用FIO工具在RHEL 7.0系統上用8線程64QD 4KB隨機讀寫的IOPS。
5、平均時延測試標準：使用FIO工具在RHEL 7.0系統上用1線程1QD 4KB隨機讀寫的平均時延。

更多產品